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涂層介電常數(shù)試驗(yàn)儀

涂層介電常數(shù)試驗(yàn)儀

簡(jiǎn)要描述:涂層介電常數(shù)試驗(yàn)儀主電容調(diào)節(jié)范圍:18~220pF

R4橋臂R4阻值3183 歐姆(Ω)

高頻/音頻介電常數(shù)測(cè)試儀GDAT-A測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法可分成兩種:零點(diǎn)指示法和諧振法。

測(cè)量范圍

更新時(shí)間:2024-07-13

產(chǎn)品型號(hào):GDA-A

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪(fǎng)問(wèn)量:962

產(chǎn)品詳情
品牌北廣精儀價(jià)格區(qū)間1萬(wàn)-2萬(wàn)
應(yīng)用領(lǐng)域化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材

涂層介電常數(shù)試驗(yàn)儀測(cè)量項(xiàng)目

值是已知的,便可從已知的Zx,推導(dǎo)出Zx。在理想電橋中比例U,/U :是一個(gè)系數(shù) K,這樣 ZK- K ZH

本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對(duì)濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿(mǎn)足下列表中的技術(shù)指示要求。

空洞共振腔適用于CCL/印刷線(xiàn)路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低。低頻電橋概述

介損損耗tgδ

-測(cè)試儀正常工作條件

Ig通用指零儀的電流5×10-10 安培(A)

涂層介電常數(shù)試驗(yàn)儀10×100Ω 1max≤120mA

電橋在使用過(guò)程中,靈敏度直接影響電橋平穩(wěn)衡的分辨程度,為保證測(cè)量準(zhǔn) 在下面的計(jì)算公式中,用戶(hù)可根據(jù)實(shí)際情況估算出電橋靈敏度水平,在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。

-測(cè)試儀正常工作條件

本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對(duì)濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿(mǎn)足下列表中的技術(shù)指示要求。

本電橋在平衡過(guò)程中,輔橋采用自動(dòng)電位跟蹤,在主橋平衡過(guò)程的同時(shí),輔橋也自動(dòng)跟蹤始終處于平衡的狀態(tài),用戶(hù)只要對(duì)主橋平衡進(jìn)行操作就能得到可靠的所需數(shù)據(jù)。

當(dāng)西 林 電橋的 B點(diǎn)接地時(shí),避免檢測(cè)器的不對(duì)稱(chēng)輸人(這在電子設(shè)備中是常有的)。

當(dāng)電橋在平衡時(shí),A,B,S三點(diǎn)電位必然相等,從而達(dá)到自動(dòng)跟蹤的目的。

±1.5% tgδx±0.0001

同時(shí)也有效的抑制了電壓波動(dòng)對(duì)平衡所帶來(lái)的影響。在指零部分,采用了指針式電表指示,視覺(jué)直觀,分辨清楚,克服了以往振動(dòng)式檢流計(jì)的缺點(diǎn)。

當(dāng)西 林 電橋的 B點(diǎn)接地時(shí),避免檢測(cè)器的不對(duì)稱(chēng)輸人(這在電子設(shè)備中是常有的)。技術(shù)參數(shù):

電感測(cè)量范圍:4.5nH~7.9mH

Q值測(cè)量

Q值測(cè)量范圍:2~1023。

Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

標(biāo)稱(chēng)誤差

     頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):

     固有誤差:≤5%±滿(mǎn)度值的2% 固有誤差:≤6%±滿(mǎn)度值的2%

     工作誤差:≤7%±滿(mǎn)度值的2% 工作誤差:≤8%±滿(mǎn)度值的2%

Q合格指示預(yù)置功能:      預(yù)置范圍:5~1000。

信號(hào)源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,

     CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,

外型尺寸:(l×bmm:380×132×280。電場(chǎng)強(qiáng)度

±0.5% Cx±2pF

10×100Ω 1max≤120mA

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