300C低電阻及電阻率測(cè)試儀采用四探針雙電測(cè)量方法，適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料。液晶顯示，無需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成報(bào)表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高精確度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。

300C低電阻及電阻率測(cè)試儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：

1.硅片電阻率測(cè)量的國際標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》.

參數(shù)資料1.方塊電阻范圍：10-6～2×106Ω/□2.電阻率范圍：10-7～2×103Ω-cm3.測(cè)試電流范圍：0.1μA，1μA，10μA，100µA.4.電流精度：±0.1%讀數(shù)5.電阻精度：≤0.3%6.顯示讀數(shù)：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率.7.測(cè)試方式: 雙電測(cè)量8.工作電源:輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗 lt;30W9.整機(jī)不確定性誤差:≤4%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果）10.選購功能: 選購1.pc軟件； 2.方形探頭； 3.直線形探頭； 4.測(cè)試平臺(tái)11.測(cè)試探頭：  探針間距選購：1mm；2mm；3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購：碳化鎢針;白鋼針；鍍金磷銅半球形針

參數(shù)parameters

1.電阻率/ resistivity： 10-8～2×106ω-cm

2.電阻/ resistance： 10-8～2×106ω

3.電導(dǎo)率/ conductivity：5 ×10-6～108s/cm

4.分辨率：0.1μω/resolution: minimum 0.1μω

5.測(cè)量誤差±（0.05%讀數(shù)±5字）/ accuracy ±0.05%

6.測(cè)量電壓量程/ measuring voltage range：2mv 20mv 200mv 2v

7.測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）/ measuring accuracy ±0.1%

8.分辨率/resolution： 0.1uv 1uv 10uv 100uv

9.電流輸出：直流電流0～1000ma可調(diào)，輸入220v。

current output: dc current 0～1000ma adjustable. input 220v.

10.量程/range：1μa，10μa，100μa，1ma，10ma，1000ma.

11.誤差：±0.2%讀數(shù)±2字/accuracy ±0.2%

12.測(cè)試治具：電纜導(dǎo)電層直徑：10mm-40mm

該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高精確度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。廣泛用于：覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻  半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率 導(dǎo)電性油漆，導(dǎo)電性糊狀物，導(dǎo)電性塑料，導(dǎo)電性橡膠，導(dǎo)電性薄膜，金屬薄膜，抗靜電材料， EMI防護(hù)材料，導(dǎo)電性纖維，導(dǎo)電性陶瓷等