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玻璃薄膜介電常數(shù)試驗(yàn)測(cè)試儀
簡(jiǎn)要描述:玻璃薄膜介電常數(shù)試驗(yàn)測(cè)試儀頻率因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的εr和tanδ幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,*重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。
更新時(shí)間:2024-07-15
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量:889
品牌 | 北廣精儀 | 價(jià)格區(qū)間 | 1萬(wàn)-2萬(wàn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材 |
玻璃薄膜介電常數(shù)試驗(yàn)測(cè)試儀 試驗(yàn)報(bào)告
試驗(yàn)報(bào)告中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容:
絕緣材料的型號(hào)名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣日期(并注明試樣厚度和試樣在與電極接觸的表面進(jìn)行處理的情況);
試樣條件處理的方法和處理時(shí)間;
電極裝置類型,若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類型;
測(cè)量?jī)x器;
試驗(yàn)時(shí)的溫度和相對(duì)濕度以及試樣的溫度;
施加的電壓;
施加的頻率;
相對(duì)電容率εr(平均值);
介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ(平均值);
試驗(yàn)日期;
相對(duì)電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計(jì)算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角,必要時(shí),應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系。
一、 概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、 測(cè)試原理
采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾持被測(cè)樣品,園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器,配用儀器作為指示儀器,絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化,由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時(shí),由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。
三、儀器的技術(shù)指標(biāo)
1.Q值測(cè)量范圍:2~1023
2.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;
3.電感測(cè)量范圍:自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能4.5nH-100mH 分別有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九個(gè)電感組成。
4.電容直接測(cè)量范圍:1~460pF
5.主電容調(diào)節(jié)范圍: 30~500pF
6.電容準(zhǔn)確度 150pF以下±1.5pF;150pF以上±1% 7.信號(hào)源頻率覆蓋范圍100KHz-70MHz (雙頻對(duì)向搜索 確保頻率不被外界干擾)另有GDAT-C 頻率范圍200KHZ-100MHz
8、型號(hào)頻率指示誤差:1*10-6 ±1
Q值合格指示預(yù)置功能范圍:5~1000
Q值自動(dòng)鎖定,無(wú)需人工搜索
9.Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃
b.相對(duì)濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
1.Q值測(cè)量范圍:2~1023
表1 真空電容的計(jì)算和邊緣校正
(1) | 極間法向電容(單位:皮法和厘米)(2) | 邊緣電容的校正(單位:皮法和厘米)(3) |
1.有保護(hù)環(huán)的圓盤狀電極 | ||
2.沒(méi)有保護(hù)環(huán)的圓盤狀電極 | ||
a)電極直徑=試樣直徑 | ||
b)上下電極相等,但比試樣小 | 其中:ε1 是試樣相對(duì)電容率的近似值,并且a≤h |
表1(續(xù))
(1) | 極間法向電容(單位:皮法和厘米)(2) | 邊緣電容的校正(單位:皮法和厘米)(3) |
c)電極直徑=試樣直徑 | 其中:ε1 是試樣相對(duì)電容率的近似值,并且a≤h | |
3.有保護(hù)環(huán)的圓柱形電極 | ||
4.沒(méi)有保護(hù)環(huán)的圓柱形電極 | ||
其中:ε1 是試樣相對(duì)電容率的近似值 |
試樣的相對(duì)電容率:
其中:
C'x——電極之間被測(cè)的電容;
In——自然對(duì)數(shù);
Ig——常用對(duì)數(shù)。
表2 試樣電容的計(jì)算——接觸式測(cè)微計(jì)電極
試樣電容 | 注 | 符號(hào)定義’ |
1.并聯(lián)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電容器來(lái)替代試樣電容 | CP——試樣的并聯(lián)電容△C——取去試樣后,為恢復(fù)平衡時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電容器的電容增量Cr——在距離為r時(shí),測(cè)微計(jì)電極的標(biāo)定電容Cs——取去試樣后,恢復(fù)平衡,測(cè)微計(jì)電極間距為s時(shí)的標(biāo)定電容Cor,Coh——測(cè)微計(jì)電極之間試樣所占據(jù)的,間距分別為r或h的空氣電容??捎帽?中的公式1來(lái)計(jì)算r——試樣與所加電極的厚度h——試樣厚度相對(duì)電容率: | |
CP=△C+Cor | 試樣直徑至少比測(cè)微計(jì)電極的直徑小2r。在計(jì)算電容率時(shí)必須采用試樣的真實(shí)厚度h和面積A。 | |
2.取去試樣后減少測(cè)微計(jì)電極間的距離來(lái)替代試樣電容 | ||
CP=Cs-Cr+Cor | 試樣直徑至少比測(cè)微計(jì)電極的直徑小2r。在計(jì)算電容率時(shí)必須采用試樣的真實(shí)厚度h和面積A。 | |
3.并聯(lián)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電容器來(lái)替代試樣電容當(dāng)試樣與電極的直徑同樣大小時(shí),僅存在一個(gè)微小的誤差(因電極邊緣電場(chǎng)畸變引起0.2%?0.5%的誤差),因而可以避免空氣電容的兩次計(jì)算。 | ||
CP=△C+Coh | 試樣直徑等于測(cè)微計(jì)電極直徑,施于試樣上的電極的厚度為零。 |
表3電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的計(jì)算——不接觸電極
相對(duì)電容率(1) | 介質(zhì)損耗因數(shù)(2) | 符號(hào)意義(3) |
1.測(cè)微計(jì)電極(在空氣中) | ||
若ho 調(diào)到一個(gè)新值h'o,而△C=0時(shí) | tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ | △C——試樣插人時(shí)電容的改變量(電容增加時(shí)為+號(hào))C1——裝有試樣時(shí)的電容C1——僅有流體時(shí)的電容,其值為εr•CoCo——所考慮的區(qū)域上的真空電容,其值為εo•A/h0A——試樣一個(gè)面的面積,用 厘米2表示(試驗(yàn)的面積大于等于電極面積時(shí))ε1——在試驗(yàn)溫度下的流體相對(duì)電容率(對(duì)空氣而言εr =1. 00)ε0——電氣常數(shù)用皮法/厘米表示△tanδ——試樣插入時(shí),損耗因數(shù)的增加量tanδc——裝有試樣時(shí)的損耗因數(shù)tanδx試樣的損耗因數(shù)的計(jì)算值d0——內(nèi)電極的外直徑 d1——試樣的內(nèi)直徑 d2試樣的外直徑d3——外電極的內(nèi)直徑 h0——平行平板間距h——試樣的平均厚度M——h0 /h—1lg――常用對(duì)數(shù)注;在二流體法的公式中,腳注1和2分別表示種和第二種流體。 |
2. 平板電極——流體排出法 | ||
tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ | ||
當(dāng)試樣的損耗因數(shù)小于1時(shí),可以用下列公式: | ||
3. 圓柱形電極——流體排出法(用于tanδ小于0.1時(shí)) | ||
4. 二流體法——平板電極(用于tanδx小于0. 1時(shí)) | ||
1——測(cè)微計(jì)頭; | 6——微調(diào)電容器; |
2——連接可調(diào)電極(B)的金屬波紋管; | 7——接檢測(cè)器; |
3——放試樣的空間(試樣電容器M1; | 8——接到電路上; |
4——固定電極(A); | 9——可調(diào)電極(B)。 |
5——測(cè)微計(jì)頭; |
圖1 用于固體介質(zhì)測(cè)量的測(cè)微計(jì)——電容器裝置
單位為毫米
1——內(nèi)電極; | 1——把柄; |
2——外電極; | 5——棚硅酸鹽或石英墊圈; |
3——保護(hù)環(huán); | 6——硼硅酸鹽或石英墊圈。 |
圖2 液體測(cè)量的三電極試驗(yàn)池示例
注滿試驗(yàn)池所需的液體量大約15mL
1——溫度計(jì)插孔;
2——絕緣子;
3——過(guò)剩液體溢流的兩個(gè)出口。
圖3 測(cè)量液體的兩電極試驗(yàn)池示例
1——溫度計(jì)插孔;
2——1mm厚的金屬板;
3——石英玻璃;
4——1mm或2mm的間隙;
5——溫度計(jì)插孔
玻璃薄膜介電常數(shù)試驗(yàn)測(cè)試儀
頻率
因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的εr和tanδ幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,*重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。
如果你對(duì)GDAT-A玻璃薄膜介電常數(shù)試驗(yàn)測(cè)試儀感興趣,想了解更詳細(xì)的產(chǎn)品信息,填寫下表直接與廠家聯(lián)系: |
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