雙電測電四探針方阻電阻率測試儀描述

采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響.

雙電測電四探針方阻電阻率測試儀適用范圍

四端測試法是目前較*之測試方法，主要針對高精度要求之產(chǎn)品測試；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。

本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導(dǎo)率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測試儀自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成圖表和報表。

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.

提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內(nèi)及國外客戶需求

1. 便于查看的顯示/直觀的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD顯示；操作易學(xué)，直觀使用；

2. 基本設(shè)置操作簡單，方阻、電阻、電阻率、電導(dǎo)率和分選結(jié)果；多種參數(shù)同時顯示。

3. 精度高：電阻基本準(zhǔn)確度： 0.05％；方阻基本準(zhǔn)確度：3%；電阻率基本準(zhǔn)確度：3%

4. 整機測量最大相對誤差：≤±3%；整機測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度：≤±3%

5. 四位半顯示讀數(shù)；八量程自動或手動測試；

6. 測量范圍寬： 電阻：10-4Ω～105Ω ；方阻：10-4Ω/□～105Ω/□；

7. 正反向電流源修正測量電阻誤差

8. 恒流源：電流量程分為： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六檔；儀器配有恒流源開關(guān)可有效保護被測件，即先讓探針頭壓觸在被測材料上，后開恒流源開關(guān)，避免接觸瞬間打火。為了提高工作效率，如探針帶電壓觸單晶對材料及測量并無影響時，恒流源開關(guān)可一直處于開的狀態(tài)。

9. 可配合多種探頭進行測試；也可配合多種測試臺進行測試。

10. 校正功能：可手動或自動選擇測試量程 全量程自動清零。

11. 厚度可預(yù)設(shè)，自動修正樣品的電阻率,無需查表即可計算出電阻率。

12. 自動進行電流換向,并進行正反向電流下的電阻率(或方塊電阻)測量,顯示平均值.測薄片時,可自動進行厚度修正。

13. 雙電測測試模式，測量精度高、穩(wěn)定性好.

14. 具備溫度補償功能，修正被測材料溫漂帶來的測試結(jié)果偏差。

15. 比較器判斷燈直接顯示，勿需查看屏幕，作業(yè)效率得以提高。

3檔分選功能：超上限，合格，超下限，可對被測件進行HI/LOW判斷，可直接在LCD使用標(biāo)志顯示；也可通過USB接口、RS232接口輸出更為詳細的分選結(jié)果。

16. 測試模式：可連接電腦測試、也可不連接電腦單機測試。

17. 豐富的接口，Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。實現(xiàn)遠程控制。U盤可記錄測試數(shù)據(jù)

18. 軟件功能（選配）：軟件可記錄、保存、各點的測試數(shù)據(jù)；可供用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分

析。

標(biāo)配：測試平臺一套、主機一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

參照標(biāo)準(zhǔn)：

1.硅片電阻率測量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》.

雙電組合測試方法：

利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響，適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。