薄膜四探針電阻率測試儀

簡要描述：薄膜四探針電阻率測試儀儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數據既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數據到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結果。
儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結構緊湊、易操作等特點。

更新時間：2024-07-15

產品型號：BEST-300C

廠商性質：生產廠家

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產品詳情

品牌	北廣精儀	產地類別	國產
類型	數字式電阻測試儀	應用領域	化工,農業(yè),文體,能源,建材

薄膜四探針電阻率測試儀技術指標：

測量范圍	電阻率：10-5～105 Ω.cm(可擴展)；方塊電阻：10-4～106 Ω/□(可擴展)；電導率：10-5～105 s/cm；電阻：10-5～105 Ω；
可測晶片直徑	140mmX150mm(配S-2A型測試臺)；200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；
恒流源	電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調
數字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　分辨力：10μV；輸入阻抗 gt;1000MΩ；精度：±0.1% ；顯示：四位半紅色發(fā)光管數字顯示；極性、超量程自動顯示；
四探針探頭基本指標	間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥1000MΩ；機械游移率：≤0.3%；探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應用參數	(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差( 按JJG508-87進行)	0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

薄膜四探針電阻率測試儀四端測試法是目前較*之測試方法，主要針對高精度要求之產品測試；本儀器廣泛用于生產企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導率測試儀自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成圖表和報表。

廣泛用于：覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料方阻測試

硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導電薄膜（ITO導電膜玻璃等），金屬膜，導電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質的薄層電阻與電阻率導電性油漆，導電性糊狀物，導電性塑料，導電性橡膠，導電性薄膜，金屬薄膜，抗靜電材料， EMI 防護材料，導電性纖維，導電性陶瓷等

按照硅片電阻率測量的國際標準（ASTM F84）及國家標準設計制造該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準，本機配置232電腦接口及USB兩種接口，本機結合采用范德堡測量原理能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應、探針不等距和機械游移等外部因素對測量結果的影響及誤差，比市場上其他普通的四探針測試方法更加完善和進步,特別是方塊電阻值較小的產品測量，更加準確.

本儀器本儀器采用四探針單電測量法適用于生產企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，儀器自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結構合理、質量輕便，運輸安全、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成報表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導率，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。