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聚乙烯薄膜介電常數(shù)測(cè)定儀
簡(jiǎn)要描述:聚乙烯薄膜介電常數(shù)測(cè)定儀 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示,保證了ε和D值精度和重復(fù)性。 ◎ 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1~105
更新時(shí)間:2024-07-18
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量:495
品牌 | 北廣精儀 | 價(jià)格區(qū)間 | 1萬(wàn)-2萬(wàn) |
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產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,交通,汽車(chē),電氣 |
聚乙烯薄膜介電常數(shù)測(cè)定儀固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz~2MHz的ε和D變化的測(cè)試。
ε和D測(cè)量范圍:ε:1~105,D:0.1~0.00005,
ε和D測(cè)量精度(10kHz):ε:±2% , D:±5%±0.0001。
測(cè)試參數(shù) :C, L, R,Z,Y,X,B, G, D, Q, θ,DCR
測(cè)試頻率 :20 Hz~2MHz,10mHz步進(jìn)
測(cè)試信號(hào)電:f≤1MHz 10mV~5V,±(10%+10mV)
平 :f>1MHz 10mV~1V,±(20%+10mV)
輸出阻抗:10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω
基本準(zhǔn)確度 ;0.1%
顯示范圍 :
L 0.0001 uH ~ 9.9999kH
C :0.0001 pF ~ 9.9999F
R,X,Z,DCR :0.0001 Ω ~ 99.999 MΩ
顯示范圍 :
Y, B, G 0.0001 nS ~ 99.999 S
D :0.0001 ~ 9.9999
Q :0.0001 ~ 99999
θ :-179.99°~ 179.99°
聚乙烯薄膜介電常數(shù)測(cè)定儀
外殼由絕緣套筒及鋼板制成的底和蓋組成,底和蓋用螺栓及環(huán)緊固在絕緣套筒的兩端。在電容器的上下兩端有防暈罩。電容器外殼內(nèi)裝有同軸高度拋光的圓柱形高低壓電極。電容器設(shè)有壓力表及氣閥,供觀察內(nèi)部壓力及充放氣使用
技術(shù)參數(shù):
1. 電容器安裝運(yùn)行海拔不超過(guò)1000米,使用周?chē)諝鉁囟?10℃~40℃,相對(duì)濕度不超過(guò)70%。
2. 電容器的工作頻率為100Hz。
3. 電容器實(shí)測(cè)值誤差不大于±0.05%,與標(biāo)稱值誤差不大于±3%
4. 電容器溫度系數(shù) ≤ 3×10-5 /℃
5. 電容器壓力系數(shù) ≤ 3×10-3Mpa
6. 電容器的損耗角正切值不大于1×10-5 、2×10-5 、5×10-5 三檔。
電容器內(nèi)充SF6氣體。在20℃時(shí),壓力為0.4±0.1Mpa
固體絕緣材料測(cè)試電極本電極適用于固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹(shù)脂和膠、浸漬纖制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、電纜料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和 玻璃等的相對(duì)介電系數(shù)(ε)與介質(zhì)損耗角正切值(tgδ)的測(cè)試本電極主要用于頻率在工頻50Hz下測(cè)量試品的相對(duì)介電系數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角正切值(tgδ
本電極的設(shè)計(jì)主要是參照國(guó)標(biāo)GB1409。
本電極采用的是三電極式結(jié)構(gòu),能有效的表面漏電流的影響,使測(cè)量電極下的電場(chǎng)趨于均勻電場(chǎng)
主要技術(shù)指標(biāo)
環(huán)境溫度:20±5℃
相對(duì)濕度:65±5%
高低壓電極之間距離:0~5mm可調(diào)
百分表示值:0.01mm(一粒1.5V氧化銀電池供電)
測(cè)量極直徑:70±0.1mm
空極tgδ:≤5×10-5
空極電容量:40±1pF
高測(cè)試電壓:2000V
實(shí)驗(yàn)頻率:50/100Hz
體積:Ф210mm H180mm
重量:6kg
[GB/T 12636-90]微波介質(zhì)基片復(fù)介電常數(shù)帶狀線測(cè)1~20 GHz 2~25 0.0005~0.01 試方法
[QJ 1990.3-90]電絕緣粘合劑電性能測(cè)試方法工頻、工頻、高頻適用于電絕緣粘合劑
高頻下介質(zhì)損耗角正切及相對(duì)介電常數(shù)的測(cè)量(1 MHz 以下)
[SJ 20512-1995]微波大損耗固體材料復(fù)介電常數(shù)和
2~40 GHz 2~100 <1.2 適用于微波大損耗固體材料
復(fù)磁導(dǎo)率測(cè)試方法
[SJ/T 1147-93]電容器用有機(jī)薄膜介質(zhì)損耗角正切值工頻、1 kHz、1 適用于電容器用有機(jī)薄膜
和介電常數(shù)試驗(yàn)方法MHz
[SJ/T 10142-91]電介質(zhì)材料微波復(fù)介電常數(shù)測(cè)試方4~12 GHz 4~80 0.1~1 適用于電介質(zhì)材料、同軸線終端開(kāi)路
法同軸線終端開(kāi)路法法
[SJ/T 10143-91]固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)測(cè)試方
法——重入腔法 100~1000 MHz <20 0.0002~0.02 適用于電介質(zhì)材料、重入腔法
[SJ/T 11043-96]電子玻璃高頻介質(zhì)損耗和介電常數(shù)
50~50 MHz 適用于電子玻璃
的測(cè)試方法
低頻、射頻、適用于巖樣、本方法所指低頻為1
[SY/T 6528-2002]巖樣介電常數(shù)測(cè)量方法KHz~15 MHz、射頻為20 MHz~0.27 超高頻
GHz、超高頻為0.2 GHz~3 GHz
3.2. 傳輸線法
傳輸線法是網(wǎng)絡(luò)法的一種,是將介質(zhì)置入測(cè)試系統(tǒng)適當(dāng)位置作為單端口或雙端口網(wǎng)絡(luò)。雙端口情況下,通過(guò)測(cè)量網(wǎng)絡(luò)的s 參數(shù)來(lái)得到微波的電磁參數(shù)。圖1 為雙端口傳輸線法的原理示意圖。其中,Γ 表示空氣樣品的反射系數(shù),g 為傳播系數(shù),l同時(shí)測(cè)量傳輸系數(shù)或者反射系數(shù)的相位和幅度,改變樣品長(zhǎng)度或者測(cè)量頻率,測(cè)出這時(shí)的幅度響應(yīng),聯(lián)立方程組就能夠求出相對(duì)介電常數(shù)。單端口情況下,通過(guò)測(cè)量復(fù)反射系數(shù)Γ 來(lái)得到、料的復(fù)介電常數(shù)。因此常見(jiàn)的方法有填充樣品傳輸線段法、樣品填充同軸線終端法和將樣品置于開(kāi)口傳輸線終端測(cè)量的方法[27]。第一種方法通過(guò)改變樣品長(zhǎng)度及測(cè)量頻率來(lái)測(cè)量幅度響應(yīng),求出εr。這種方法可以測(cè)得傳輸波和反射波極小點(diǎn)隨樣品長(zhǎng)度及頻率的變換,同時(shí)能夠避免復(fù)超越方程和的迭代求解。但這一種方法僅限于低、中損耗介質(zhì),對(duì)于高損耗介質(zhì),樣品中沒(méi)有多次反射。傳輸線法適用于εr 較大的固體及液體,而對(duì)于εr 比較小的氣體不太適用。早在 2002年用傳輸反射法就能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)任意厚度的樣品在任意頻率上進(jìn)行復(fù)介電常數(shù)的穩(wěn)定測(cè)量NRW T/R 法(即基于傳輸/反射參數(shù)的傳輸線法)的優(yōu)勢(shì)是簡(jiǎn)單、精度高并且適用于波導(dǎo)和同軸系統(tǒng)。但該方法在樣品厚度是測(cè)量頻率對(duì)應(yīng)的半個(gè)波導(dǎo)波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)并不穩(wěn)定。同時(shí)此方法存在著多值問(wèn)題,通常選擇不同頻率或不同厚度的樣品進(jìn)行測(cè)量較浪費(fèi)時(shí)間并且不方便。此外就是對(duì)于極薄的材料不能進(jìn)行高精度測(cè)量[28]。反射法測(cè)量介電常數(shù)的早應(yīng)用是Decreton 和Gardial 在1974 年通過(guò)測(cè)量開(kāi)口波導(dǎo)系統(tǒng)的反射系數(shù)推導(dǎo)出待測(cè)樣品的介電常數(shù)。同軸反射法是反射法的推廣和深化,即把待測(cè)樣品等效為兩端口網(wǎng)絡(luò),通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量該網(wǎng)絡(luò)的散射系數(shù),據(jù)此測(cè)試出材料的介電常數(shù)。結(jié)果顯示,同軸反射法在測(cè)量高損耗材料介電常數(shù)上有一定可行性,可以測(cè)量和計(jì)算大多數(shù)高損耗電介質(zhì)的介電常數(shù),對(duì)諧振腔法不能測(cè)量高損耗材料介電常數(shù)的情況有非常大的補(bǔ)充應(yīng)用價(jià)值[29]。2006 年又提出了一種測(cè)量低損耗薄膜材料介電常數(shù)的標(biāo)量法。該方法運(yùn)用了傳輸線法測(cè)量原理,首先測(cè)量待測(cè)介質(zhì)損耗,間接得出反射系數(shù),然后由反射系數(shù)與介電常數(shù)的關(guān)系式推出介質(zhì)的介電常數(shù)。其薄膜可以分為低損耗、高損耗和高反射三類(lèi),通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明了三種薄膜的損耗隨頻率改變基本呈相同的變化趨勢(shì),高頻稍有差別,允許誤差范圍內(nèi)可近似。該方法切實(shí)可行,但不適用于測(cè)量表面粗糙的介質(zhì)
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