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ITO膜硅片四探針電阻率測(cè)試儀
簡(jiǎn)要描述:ITO膜硅片四探針電阻率測(cè)試儀使用的周圍環(huán)境條件。易燃易爆空氣環(huán)境 。不穩(wěn)定的工作臺(tái)面.。陽(yáng)光直射的地方. 。潮濕的地方.。腐蝕性的空氣環(huán)境. ??諝馕廴净覊m重.
更新時(shí)間:2024-07-18
產(chǎn)品型號(hào):BEST-300C
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量:522
品牌 | 北廣精儀 | 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
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類型 | 數(shù)字式電阻測(cè)試儀 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,交通,汽車,電氣 |
ITO膜硅片四探針電阻率測(cè)試儀方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量,但其測(cè)量
準(zhǔn)確度尚未評(píng)估。
使用直排四探針測(cè)量裝置、使直流電流通過(guò)試樣上兩外
探件,測(cè)量?jī)蓛?nèi)操針之間的電位差,引人與試樣幾何形軟有
關(guān)的修正因子,計(jì)算出薄層電阻。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試采用四探針組合雙電測(cè)量方法,液晶顯示,自動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.
采用四探針組合雙電測(cè)量方法,液晶顯示,自動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.
概述:采用四端測(cè)量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,實(shí)驗(yàn)室;是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具??膳渲貌煌瑴y(cè)量裝置測(cè)試不同類型材料之電阻率。液晶顯示,溫度補(bǔ)償功能,自動(dòng)量程,自動(dòng)測(cè)量電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。恒流源輸出;選配:PC軟件過(guò)程數(shù)據(jù)處理和標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器,薄膜按鍵操作簡(jiǎn)單,中文或英文兩種語(yǔ)言界面選擇,電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表,量程為1mVˉ100mV,
分辨率為0.1%,直流輸入阻抗不小
250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的
圓截面。
探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之
間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距,四探針應(yīng)以
等距離直線排列,探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中
的規(guī)定。
R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R,)
計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比,由表3中
查出修正因子F,也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因
子。 9.4計(jì)算幾何修正因子F,見式(4)。
對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣,選用針尖半徑為100
μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平
頭探針,針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對(duì)于薄層厚度不
小于3μ的試樣,選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形
操針,針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.
Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-
雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。.定。歐嬌表,能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻,溫度針
0℃-40℃,小刻度為0.1℃。
光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場(chǎng)及溫醒度等測(cè)試環(huán)境會(huì)影
響測(cè)試結(jié)果,
甲醇、99.5%,干燥氮?dú)?。測(cè)量?jī)x器探針系統(tǒng)操針為具
有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針,針實(shí)半徑分別為35
μm~100μm.100 μm
…… … ………(5)
電壓表輸入阻抗會(huì)引入測(cè)試誤差,硅片幾何形狀,表
面粘污等會(huì)影響測(cè)試結(jié)果,
R(TD-R_xF式中:
計(jì)算每一測(cè)量位置的平均電阻R.,見式(3).
試劑優(yōu)級(jí)純,純水,25℃時(shí)電阻率大于2MN.cm,
s=號(hào)(二[R,(TD-瓦(7D羽yt ..
計(jì)算每一測(cè)量位置在所測(cè)溫度時(shí)的薄層電阻(可根據(jù)薄
層電阻計(jì)算出對(duì)應(yīng)的電阻率并修正到23℃,具體見表4)
見式(5).
用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上,試樣放置
的時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng),到達(dá)熱平衡時(shí),試樣溫度為23 ℃±1℃.
接通電流,令其任一方向?yàn)檎?,調(diào)節(jié)電流大小見表1測(cè)量范圍
電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm
方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□
電 阻:1×10-5~2×105 Ω ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω
3.2 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)決定和測(cè)試方式?jīng)Q定)直 徑:A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm, 方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm, 長(zhǎng)(高)度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm, 測(cè)量方位: 軸向、徑向均可
3.3. 4-1/2 位數(shù)字電壓表:
(1)量程: 20.00mV~2000mV
(2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字
3.4 數(shù)控恒流源
(1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA,1A
(2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字
所給出的某一合適值,測(cè)量并記錄所得數(shù)據(jù),所有測(cè)試數(shù)據(jù)
至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。改變電流方向,測(cè)量、記錄數(shù)據(jù)。
關(guān)斷電流,搶起探針裝置,對(duì)仲裁測(cè)量,探針間距為1.59
ITO膜硅片四探針電阻率測(cè)試儀本儀器本儀器采用四探針雙電測(cè)量方法,適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料。液晶顯示,無(wú)需人工計(jì)算,并帶有溫度補(bǔ)償功能,電阻率單位自動(dòng)選擇,儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程,無(wú)需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用高精度AD芯片控制,恒流輸出,結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便,運(yùn)輸安全、使用方便;選配:配備軟件可以由電腦操控,并保存和打印數(shù)據(jù),自動(dòng)生成報(bào)表;本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示,同時(shí)顯示液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率,壓強(qiáng) 配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).
雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。
標(biāo)準(zhǔn)要求:
該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,它與單電測(cè)直線或方形四探針相比,大大提高精確度,特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。
如果你對(duì)BEST-300CITO膜硅片四探針電阻率測(cè)試儀感興趣,想了解更詳細(xì)的產(chǎn)品信息,填寫下表直接與廠家聯(lián)系: |